光纖光譜儀在顯微光譜分析中的應(yīng)用

點(diǎn)擊次數(shù)：3471 發(fā)布時(shí)間：

　　顯微光譜分析又稱微區(qū)光譜分析，是通過光學(xué)顯微鏡等輔助光學(xué)設(shè)備，采集微小區(qū)域的光信號(hào)進(jìn)行樣品光譜分析的一種方法。
　　
　　顯微光譜分析是對(duì)比普通光譜分析而言。通常普通光譜分析是指普通光纖光譜儀通過光纖將光信號(hào)導(dǎo)入光譜之中。但是由于光纖收集的是發(fā)散光(一般光譜光纖數(shù)值孔徑為0.22)，因此普通光纖光譜儀僅能采集較大空間的光信號(hào)。測(cè)試信號(hào)并不理想。
　　
　　后來，人們通過光學(xué)顯微鏡配合光纖光譜儀進(jìn)行樣品空間分辨分析使得樣品的空間分辨率得到了大大的提高。為了獲得更高的分辨率一方面是要提高顯微鏡的分辨率，另外一方面是要提高光纖光譜儀的性能和兩者之間的配合性能。
　　
　　目前市場(chǎng)上光纖光譜儀種類繁多，選擇一款適合的光纖光譜儀至關(guān)重要。復(fù)享光纖光譜儀提供的設(shè)備在市場(chǎng)上一直在顯微光譜分析領(lǐng)域具有良好的口碑。如果您擁有光學(xué)顯微鏡，那么進(jìn)行顯微光譜分析簡(jiǎn)單的方法就是配備復(fù)享光纖光譜儀的顯微鏡-光纖適配器對(duì)譜儀和顯微鏡進(jìn)行整合同時(shí)配合復(fù)享光纖光譜儀開發(fā)的定制軟件。然后，您就能輕輕松松的用顯微鏡和整合好的光纖光譜儀系統(tǒng)對(duì)樣品進(jìn)行信號(hào)分析。
　　
　　一般來說，如果您擁有50倍以上的物鏡，在不做光闌修飾的情況下，能夠做到25微米見方區(qū)域的顯微光譜分析。當(dāng)然，復(fù)享還能夠?yàn)槟峁└?xì)的顯微光譜分析。通過復(fù)享光纖光譜儀的技術(shù)，顯微系統(tǒng)能將光譜儀的空間分辨率提高至5微米見方。
　　
　　普通光譜分析和顯微光譜分析已經(jīng)具有技術(shù)的光譜分析對(duì)比表
　　
　　普通光譜分析顯微光譜分析復(fù)享的顯微光譜分析
　　
　　空間分辨率能力典型1X1mm2小25X25um2小5X5um2
　　
　　角分辨能力無(wú)無(wú)有，詳見R6產(chǎn)品介紹
　　
　　大光譜波段200-2500nm380-780nm320-1100nm
　　
　　制絨過程:
　　
　　制絨是將電池片表面刻蝕或腐蝕成不規(guī)則的粗糙表面。由于入射光在電池片表面多次反射和折射、增加了光的吸收，提高了電池片的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。此時(shí)，可以利用測(cè)量反射率來衡量電池片的制絨效果。一般來說，在制絨完成后，電池片的反射率在35%左右。
　　
　　清洗過程:
　　
　　在制絨過程后，需要對(duì)電池片表面進(jìn)行一般的化學(xué)清洗。清洗后還要進(jìn)行脫水處理。此時(shí)，可以利用測(cè)量反射率來衡量電池片清洗效果。
　　
　　PECVD過程
　　
　　為了進(jìn)一步減少表面反射，提高電池的轉(zhuǎn)換效率，需要沉積一層SiN(氮化硅)減反射膜。現(xiàn)在工業(yè)生產(chǎn)中常采用PECVD設(shè)備制備減反射膜。PECVD即等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積。它的技術(shù)原理是利用低溫等離子體做能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體SiH4和NH3，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜，即氮化硅薄膜。在反應(yīng)過程中，可以使用高分辨的等離子體監(jiān)控儀進(jìn)行等離子體反應(yīng)的原位監(jiān)控。一般情況下，使用PECVD方法沉積的薄膜厚度在70nm左右。完成PECVD鍍膜后，需要使用橢偏儀和反射率儀綜合衡量電池片的膜厚和反射率
　　
　　封裝過程
　　
　　在組件的表面需要封裝上玻璃，起到保護(hù)電池組件的作用?，F(xiàn)在一般使用增透型的壓花玻璃進(jìn)行封裝。壓花玻璃的透過率將直接影響電池組件的發(fā)電效率。因此，需要使用壓花玻璃透過率儀對(duì)封裝的壓花玻璃透過率進(jìn)行檢測(cè)。
　　
　　測(cè)試過程
　　
　　為了衡量電池組件的發(fā)電效率，需要使用太陽(yáng)光模擬器照射進(jìn)行發(fā)電效率的測(cè)試。太陽(yáng)光模擬器一般使用特殊的脈沖氙燈光源。由于脈沖氙燈光源具有使用壽命，因此，為了獲取的效率數(shù)據(jù)，需要對(duì)太陽(yáng)光模擬器的輻射情況進(jìn)行檢測(cè)。